RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,978.2
13.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
66
Por volta de -164% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
25
Velocidade de leitura, GB/s
2,929.1
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,978.2
13.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
511
3061
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link