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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
62
Por volta de -100% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.3
1,658.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,216.7
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,658.4
13.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
688
3318
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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