RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
5
18.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,381.6
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
60
Por volta de -114% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
28
Velocidade de leitura, GB/s
5,082.2
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,381.6
15.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
925
3519
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HMT125U6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link