RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Comparar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8,883.4
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
44
Por volta de -57% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.7
14
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
44
28
Velocidade de leitura, GB/s
14,740.4
18.7
Velocidade de escrita, GB/s
8,883.4
15.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2811
3394
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT25664AC667.C16FH 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link