Comparação RAM SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Pontuação geral

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

3 20.5

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

2,303.7 15.5

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

31 117

Por volta de -277% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 5300

Por volta de 4.83 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio

no data 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

784 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns