RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
63
Por volta de -163% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
12.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2925
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link