RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Comparar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Pontuação geral
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
63
Por volta de -174% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,447.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,231.0
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,447.3
12.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
478
2943
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link