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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
50
Por volta de -35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
14.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
3419
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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