RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Comparar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
25
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
12.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
24
Velocidade de leitura, GB/s
12.5
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2180
2865
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link