RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
96
Por volta de -191% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
33
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
14.8
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
3671
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link