A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB против Transcend Information TS256MSQ64V6U 2GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Средняя оценка

Transcend Information TS256MSQ64V6U 2GB

Transcend Information TS256MSQ64V6U 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

40 68

Около 41% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.5 1,655.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

10600 5300

Около 2% выше полоса пропускания

Transcend Information TS256MSQ64V6U 2GB

Причины выбрать
Transcend Information TS256MSQ64V6U 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 11.3

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Transcend Information TS256MSQ64V6U 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR2
Задержка в PassMark, нс

40 68
Скорость чтения, Гб/сек

11.3 3,806.0
Скорость записи, Гб/сек

7.5 1,655.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 5300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 5-5-5-15 / 667 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1654 618

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB

Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Transcend Information TS256MSQ64V6U 2GB

Transcend Information TS256MSQ64V6U 2GB

модули RAM

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB

Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB

модули RAM