RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
94
Около -309% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
23
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
3260
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link