RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
31
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.4
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
4.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
31
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
21.4
Скорость записи, Гб/сек
4.6
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1560
3809
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link