RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
56
Около -143% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,925.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,315.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,925.7
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
658
3004
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Сравнения RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link