RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
66
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
39
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2600
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link