RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2971
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link