RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3357
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link