RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 13.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    2,061.2 left arrow 11.0
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 46
    Около -59% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 6400
    Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    4,937.3 left arrow 13.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    2,061.2 left arrow 11.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    759 left arrow 2690

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
модули RAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
модули RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
модули RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
модули RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
модули RAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
модули RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
модули RAM