RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Сравнить
AMD R534G1601U1S-UO 4GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
27
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
22
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.2
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2272
3166
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Сравнения RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link