RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сравнить
AMD R538G1601U2S-UO 8GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
-->
Средняя оценка
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
59
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.0
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
14.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
59
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
10.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2634
1954
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link