ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

-->

Средняя оценка

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Средняя оценка

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 28

Около 7% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.5 9.1

Среднее значение в тестах

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Причины выбрать
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.2 12.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 28
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 13.2
Скорость записи, Гб/сек

9.5 9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2174 1989

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB

Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Kingston 9965690-002.A00G 8GB

Kingston 9965690-002.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston 9965596-035.B00G 4GB

Kingston 9965596-035.B00G 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB

Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 9905625-076.A00G 8GB

Kingston 9905625-076.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB

модули RAM