RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
27
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
18
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
20.5
Скорость записи, Гб/сек
6.7
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3564
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CMP4GX3M2B1600C8 2GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link