RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.6
14.8
Скорость записи, Гб/сек
8.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2355
2173
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link