RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
18
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
20.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
19.5
15.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
18
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
20.1
Скорость записи, Гб/сек
15.4
19.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
3704
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link