RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
71
Около 76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
71
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
15.4
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
1986
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link