RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
66
Около 44% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
66
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1683
1877
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link