RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
60
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
2.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
60
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
7.8
Скорость записи, Гб/сек
8.9
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2412
1505
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M393B2K70DMB-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston 9965516-048.A00LF 8GB
Kingston 9965516-100.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link