RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
46
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
11
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
46
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
11.0
Скорость записи, Гб/сек
8.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
2396
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link