RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
39
Около -5% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
9.5
Скорость записи, Гб/сек
8.2
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
1949
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link