RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB против Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около 7% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
8.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.8
12.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
12.8
Скорость записи, Гб/сек
8.6
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2148
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Сравнения RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link