Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Средняя оценка

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 32

Около 9% меньшая задержка

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.9 11.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.9 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 32
Скорость чтения, Гб/сек

11.5 15.9
Скорость записи, Гб/сек

7.3 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1892 2831

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

Shenzhen Technology Co Ltd 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB

Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB

модули RAM

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Kingston KVR24N17S8/4 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB

Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB

Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB

Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB

Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM