RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
8.2
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1854
2562
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link