RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
38
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2361
2336
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB Сравнения RAM
Kingston HP698650-154-MCN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905403-060.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link