RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Сравнить
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2014
2821
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11S3L/4G 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link