RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
79
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
79
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
10.9
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
1710
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link