RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
34
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
34
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
14.1
Скорость записи, Гб/сек
10.9
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2562
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link