G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 45

Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.8 13.2

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

12.2 11.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

34 45
Скорость чтения, Гб/сек

16.8 13.2
Скорость записи, Гб/сек

11.3 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2968 2841

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB

Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB

модули RAM

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB

Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB

SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB

модули RAM