RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
18.3
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3691
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link