RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
18.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
20.2
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
4114
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link