RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
18.3
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3899
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link