RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
17.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3098
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link