RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
60
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
6.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
4.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
60
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
6.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
4.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1400
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link