RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
85
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
5.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
85
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
12.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
5.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link