RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
16
28
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.7
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
16
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
21.7
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
3872
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link