RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
12.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
9.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
20.3
Скорость записи, Гб/сек
9.6
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
4122
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link