RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
52
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
52
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
10.0
Скорость записи, Гб/сек
9.6
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2306
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link