RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3659
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
KINGBOX Technology Co. Ltd. KINGBOX 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link