RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3418
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link