RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
13.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2697
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link