Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Средняя оценка

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 45

Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения

12.1 11.6

Среднее значение в тестах

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.5 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 45
Скорость чтения, Гб/сек

12.1 11.6
Скорость записи, Гб/сек

7.8 8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2177 2036

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB

Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

Kingston 99U5665-001.A00G 4GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1600C11 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Kingston 99U5700-032.A00G 16GB

Kingston 99U5700-032.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston 9905678-012.A00G 8GB

Kingston 9905678-012.A00G 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB

Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB

модули RAM

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB

модули RAM